InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构w88与表征
所属分类:技术论文
上传者:aetmagazine
文档大小:854 K
标签: InGaAs/GaAs 多量子阱 红外
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文档介绍:介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,w88出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论w88一致,具有很好的近红外探测器研制价值。
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